В Intel объявили, что в следующем поколении процессорных чипов, которые будут производиться уже в этом году по 45-нм техпроцессу, будут использованы новые так называемые «high-k and metal gate» транзисторы. Более того, сегодня в распоряжении инженеров уже есть пять работающих образцов из пятнадцати планируемых вариантов двух— и четырехъядерных процессоров семейства Penryn, прямого развития удачного ядра Core. Такие процессоры будут работать во всех сегментах рынка — в мобильных и настольных компьютерах, в рабочих станциях и серверах.

К «революционной» пресс-конференции в Intel тщательно подготовились, подключив тяжелую артиллерию. Сам отец-основатель 78-летний Гордон Мур заявил, что «использование материалов с большой диэлектрической проницаемостью (high-k) и металлических затворов (metal gate) знаменует наибольшие изменения в полупроводниковой технологии с момента внедрения транзисторов с затвором из поликристаллического кремния в конце шестидесятых». В обычных транзисторах процессорной логики, которые успешно работают уже четыре десятка лет, ток может течь по полупроводниковому каналу между истоком и стоком. На канал нанесен изолирующий слой диэлектрика — диоксида кремния, а уже на нем расположен третий электрод — затвор из поликристаллического кремния. Меняя напряжение на затворе, можно влиять на проводимость канала — включать и выключать транзистор. Но чем меньше транзистор, тем тоньше слой диэлектрика и короче затвор. В результате растут утечки сквозь изолятор и другие потери. Это приводит к дополнительному нагреву чипа и снижает скорость переключения транзистора.

В новых транзисторах слой диоксида кремния заменен более толстым слоем диэлектрика с большой диэлектрической проницаемостью, которая не мешает полю затвора управлять каналом, но за счет большей толщины изолятора утечки затвора изрядно снижаются.