Важный результат анонсировали ученые корпорации IBM на прошедшей в Сан-Хосе (Калифорния) технологической конференции «Микролитография 2006». На экспериментальной установке иммерсионной фотолитографии с традиционным лазером с длиной волны 193 нм им впервые удалось изготовить на кремниевом чипе высококачественную решетку из линий с шагом всего 29,9 нм. Это значение всего на семь процентов меньше, чем считавшиеся ранее предельными 32 нм. Но, по словам руководителя отделения литографических материалов Альмаденского исследовательского центра Роберта Аллена (Robert Allen), оно «дает полупроводниковой индустрии по крайней мере семь лет передышки, прежде чем потребуются радикальные изменения в технологии производства чипов».

Идее задействовать жидкость для улучшения качества изображения уже 165 лет. Еще в те давние времена флорентийский физик Джованни Батиста Амичи использовал помещенную на образец капельку воды для повышения разрешающей способности микроскопа. Дело в том, что дифракция электромагнитных волн не позволяет разглядеть объекты меньше, чем половина длины волны (при фотолитографии с помощью интерференции сдвинутых по фазе световых волн этот предел снижается вдвое). Но в твердых телах и жидкостях длина волны уменьшается с ростом величины показателя преломления, что и позволяет обойти дифракционный предел.

Об этом старом способе технологам пришлось вспомнить еще в 2002 году, когда стало ясно, что переход с используемой сегодня фотолитографии глубокого ультрафиолета с 193-нанометровыми лазерами на более короткие волны (157 нм) несет огромные технологические сложности.