
Творение Чапина пока посетило лишь около тысячи человек, добровольно пожертвовавших небольшую сумму на поддержание работы установки. Вполне вероятно, что проект просто еще не достиг той известности, которая позволила бы предпринимателю хорошо зарабатывать на неравнодушных к Луне людях. АБ
Глубокая памятьМеждународная исследовательская группа корейских и австралийских ученых предложила экспериментальную технологию для создания запоминающих устройств типа флэш-памяти. Новшество теоретически позволит в разы увеличить емкость накопителей.
В современных микросхемах флэш-памяти запись информации осуществляется за счет накопления заряда в ячейках памяти, причем ячейки располагаются в виде двухмерного массива. Джан-Сик Ли (Jang-Sik Lee), Джинхан Чо (Jinhan Cho) из Университета Сеула и Фрэнк Карузо (Frank Caruso) из Университета Мельбурна для конструирования ячеек памяти предложили использовать структуры из чередующихся слоев металлических наночастиц (ученые взяли наночастицы золота) и изолятора на основе оксида гафния и, таким образом, придать памяти "третье измерение". По утверждению создателей, такая многослойная конструкция способна обеспечить прирост емкости в 3,6 раза по сравнению с традиционной технологией.
Попытки создания многослойной флэш-памяти предпринимались и раньше. Например, Ли участвовал в разработке многослойной памяти на основе нитрида кремния, ведущейся компанией Samsung. Однако, как говорит сам ученый, использование металлических наночастиц дает лучшие результаты. По мнению Дэвида Шифрина (David Schiffrin), химика-исследователя из Университета Ливерпуля, новая технология достаточна проста, чтобы перейти к "химическому синтезу" новых электронных устройств и, в частности, накопителей информации. ЕГ
Свет в кремниевом туннелеВажный шаг на пути к интеграции оптических шин передачи
