Прежде чем перейти к рассмотрению технологии, над которой она работает, вкратце расскажем о самой компании, основанной в 1996 году. Среди ее спонсоров несколько известных корпораций, в том числе вездесущая Microsoft. А в январе этого года Nanochip получила на дальнейшие исследования 14 млн. долларов от Intel и JK&B Capital. Компания, кстати, уже имеет семь патентов и еще 34 заявки находятся на стадии рассмотрения.
Теперь собственно о новой методике. Nanochip предлагает совместить энергонезависимую память PRAM с массивом крошечных "головок" чтения/записи, управляемых микроэлектромеханической системой. Принцип работы памяти PRAM, напомним, основан на свойстве халькогенидных материалов принимать два стабильных фазовых состояния: аморфное с высоким электрическим сопротивлением (логический ноль) и кристаллическое с низким сопротивлением (единица). Переход из одной формы в другую осуществляется путем изменения температуры.
По замыслу Nanochip, в накопителях нового типа будут использоваться очень тонкие пластины с халькогенидным покрытием, а размеры однобитной ячейки составят 15x15 нм (в перспективе до 2х3 нм). В результате плотность хранения данных теоретически может составить терабит на квадратный дюйм.
На следующий год Nanochip запланировала выпуск пробных образцов. Массовое же производство, если все пойдет хорошо, ожидается в 2010 году. Компания намерена начать с чипов емкостью 100 Гбайт и далее ежегодно удваивать их объем. Представители Nanochip подчеркивают, что по сравнению с традиционной энергонезависимой памятью новая технология позволит в несколько раз снизить себестоимость производства. Да и скорости чтения/записи данных обещают быть куда выше. Осталось дождаться исполнения обещаний. ВГ