Физики-теоретики из Ренсселерского политехнического института показали, что электронными характеристиками графена можно управлять, меняя химические свойства подложки. Если их выкладки подтвердятся в ходе экспериментов, многие препятствия, стоящие на пути использования этого уникального материала в электронике, вскоре удастся преодолеть.

В последние годы научные журналы буквально пестрят публикациями о графене. Благодаря своей плоской структуре, вкупе с высокими прочностью, теплопроводностью и скоростью движения электронов, этот материал является наиболее вероятным кандидатом на роль заместителя кремния в наноэлектронике будущего. Из графена уже сделаны отменные транзисторы и другие компоненты электронных схем, но несмотря на впечатляющие успехи ученых, до массового производства подобных устройств пока далеко.

Одна из проблем состоит в том, что при изготовлении графена только часть получаемых чешуек обладает полупроводниковыми свойствами, а оставшиеся ведут себя как металл. И отделить их друг от друга крайне трудно. А плохо контролируемый разброс параметров ставит крест на массовом производстве.

Чтобы понять, почему так происходит, ученые выполнили квантово-механические расчеты и обнаружили, что все дело в подложке, на которой выращиваются слои графена. Обычно для этих целей используется диоксид кремния. Если его обогатить кислородом, то формируются полупроводниковые структуры, а если подложку обработать водородом, то на ней вырастает "металлический" графен. Такой способ управления свойствами графена сравнительно легко реализовать на практике, и это обещает одним махом снять массу технологических проблем.

Теперь слово за экспериментаторами. Если предсказания теоретиков подтвердятся, новые успехи углеродной электроники не заставят себя ждать. ГА

К цепочке экспериментов, моделирующих возникновение жизни,