Оказалось, что в сильном магнитном поле более трех тесла вероятность ошибки туннелирования снижается на два порядка и продолжает уменьшаться при увеличении напряженности поля. При этом спины электронов, прошедших через устройство, оказываются ориентированными в одном направлении, что востребовано в спинтронике. Кроме того, если параметры квантовой точки изменить так, чтобы в нее попадало строго по два электрона, то они окажутся запутанными.

Ученые считают, что дальнейшее совершенствование устройства путем изменения его геометрии, формы управляющих импульсов и подбора характеристик магнитного поля позволит создать хороший квантовый эталон тока. ГА

Сотрудники Национальной лаборатории Лоуренса в Беркли построили ионную пушку, которая способна напылять металл на полупроводниковые чипы в вакууме. Новинка обещает произвести революцию в целом ряде технологических процессов, снизив стоимость и повысив качество чипов.

Обычная ионная пушка, использующаяся при изготовлении чипов, представляет собой очень сложный агрегат. В нем создается хитрая комбинация электрических и магнитных полей, обеспечивающих несколько стадий процесса получения и напыления ионов металла. Как правило, все начинается с инертного газа аргона, который ионизируется и превращается в плазму. Положительно заряженные ионы аргона ускоряются электромагнитным полем и бомбардируют катод из нужного металла (например, меди), выбивая оттуда атомы, которые превращаются в ионы и попадают на чип-анод, формируя на нем металлический слой. К сожалению, вместе с металлом на чип попадает и газ, ухудшающий качество покрытия. Кроме того, ток разряда в плазме вблизи катода обычно на порядок больше тока полезных ионов металла на чип, а это приводит лишь к дополнительному разогреву устройства. В